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2023-03-13
据西邮新闻网消息，近日西安邮电大学电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2023年2月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。近日，中国科学技术大学分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅、氮化镓相比，氧化镓基功率器件具备高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特点。氧化镓因其基板制作相较于SiC与GaN更容易，又因为其超宽禁带的特性，材料所能承受更高电压的崩溃电压和临界电场，使其在超高功率元件之应用极具潜力。2022年中国科技部将氧化镓列入“十四五重点研发计划”，让第四代半导体获得更广泛关注。
